Au sein du pôle de compétitivité Minalogic, à Grenoble, ce projet vise à développer des nouvelles applications dérivées du silicium sur isolant, spécialité de Soitec.

Moins de deux ans après son démarrage, le projet de recherche NanoSmart associant Soitec, le spécialiste mondial du silicium sur isolant, et le labo CEA-Léti, se targue d'avoir réalisé environ 35 publications scientifiques et déposé près d'une quarantaine de brevets.

Mené à Minatec, dans le cadre du pôle de compétitivité Minalogic, à Grenoble, ce projet mobilise entre 100 et 150 personnes de Soitec et du CEA-Leti. Il repose sur la technologie exclusive "Smart Cut" de Soitec pour le transfert d'une fine couche de silicium sur un substrat, séparés par une couche isolant. Les puces électroniques construites avec ce matériau présentent l'avantage d'être plus rapides, de consommer moins de courant et de résister mieux aux rayonnements ionisants que les puces réalisées sur du silicium massif.

L'objectif de NanoSmart est d'étendre le bénéfice de cette technologie à d'autres semi-conducteurs que le silicium. Les marchés visés sont ambitieux. Ils couvrent le développement de nouvelles générations de matériaux pour des applications dans l'automobile (composants de puissance), le grand public (audiovisuel domestique), la communication (composants basse consommation et haute fréquence pour les réseaux et autres applications nomades) et enfin dans l'optoélectronique (éclairage à diodes électroluminescentes).

Les premières étapes du projet portent sur :

• ? Les matériaux semi-conducteurs III V (Alliages de deux, trois, voire quatre éléments appartenant à la colonne 3 et la colonne 5 de la classification périodique, comme l'arséniure de gallium). Cette diversification des activités en dehors du silicium constitue un nouveau défi pour les chercheurs. Les applications concernent les composants radiofréquences et composants optoélectroniques (comme les diodes électroluminescentes).
• ? Le germanium : Le CEA-Léti a déjà développé un composant sur Germanium et démontré un gain en mobilité des électrons grâce à la technologie Smart Cut. Les applications se situent dans l'informatique à haute performance et les réseaux sans fil.
• ? L'ingénierie de l'isolant : Soitec a démontré la faisabilité de substrat à isolant multicouches ; ces empilements de nouveaux diélectriques répondront mieux à la minimisation de l'échauffement des composants pour les circuits de puissance.
• ? La validation des innovations sur des composants électroniques par le Léti : ces nouveaux substrats sont une opportunité d'architectures plus avancées de composants et de synergie avec ses partenaires de Minalogic et internationaux.

Les données clés sur NanoSmart :

Partenaires : Soitec (avec sa filiale Picogiga) et le CEA-Léti ;
Financeurs : OSEO Innovation ;
Montants : 199 M€ ;
Aides : 62 M€ pour Soitec/Picogiga et 18 M€ pour le CEA-Léti ;
Durée : 5 ans (de mi 2006 à mi 2011).

Dates clés :
? Labellisation Minalogic : 12 décembre 2005 ;
? Convention d'aide signée : 1er octobre 2007 ;
? Autorisation de l'aide par la Commission Européenne : 12 septembre 2007.

Ridha Loukil

Pour en savoir plus : http://www.soitec.com